近日，北京理工大学物理学院吴汉春教授课题组在石墨烯自旋电子学研究方面取得重要进展。吴汉春教授和台湾大学张庆瑞教授课题组合作撰写的论文“Large Positive In-Plane Magnetoresistance Induced by Localized States atNanodomain Boundaries in Graphene”在国际权威学术期刊Nature Communications在线发表。吴教授为论文的第一作者和共同通讯作者。
吴汉春教授课题组与台湾大学张庆瑞教授课题组通过理论和实验相结合研究了纳米缺陷对石墨烯自旋输运的影响，发现5-7-5-7线缺陷的局域态在无外加磁场下能产生室温自旋过滤效应，在施加面内磁场下能导致一个5%的正磁阻，从而提供了一种在石墨烯体系中引入自旋自由度的新途径。
该工作由多家单位国际合作完成。主要合作者还包括俄罗斯科学院固体所Alexander Chaika博士，爱尔兰圣三一学院物理系系主任Igor Shvets教授，德国汉堡大学Alexander Lichtenstein教授，荷兰奈梅亨大学Mikhail Katsnelson教授和中科院等离子所刘华军研究员。
